基于LCL谐振变换结构的RSD重频系统充电技术

作     者：李飞龙 余亮 梁琳 邹雪城 LI Fei-long;YU Liang;LIANG Lin;ZOU Xue-cheng

作者机构：华中科技大学光学与电子信息学院湖北武汉430074 

基　　金：国家自然科学资金资助项目(50907025) 中央高校基本科研业务费资助项目(HUST2012QN150)~~ 

出 版 物：《电力电子技术》 (Power Electronics)

年 卷 期：2014年第48卷第1期

页      码：60-62页

摘      要：全固态半导体开关,即反向开关晶体管(RSD)因其具有全面积、纳秒至微秒级导通等特有的性质,在脉冲功率领域有着良好的应用前景。研究了RSD脉冲功率系统主储能电容的恒流充电技术。利用交流小信号分析法对基于LCL谐振变换结构的充电电源工作原理进行了详细阐述,分析了恒流特性、恒压特性及开关管的软开关特性,利用Orcad Pspice仿真软件进行了仿真验证。同时从功率损耗方面对开关管IGBT的缓冲吸收回路进行了优化设计。通过27 ms将27μF电容器充电至1.1 kV的实验证明了基于LCL拓扑的谐振变换充电电源具有恒流、控制简单、宽负载应用范围等优点,适用于主储能电容器的高精度、快速充电。

主 题 词：反向开关晶体管 恒流充电 谐振变换 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-100X.2014.01.022

馆 藏 号：203102751...