基于硅转接板工艺的宽带射频芯片三维异构集成

作     者：王勇 韦炜 杨栋 孙彪 张兴稳 张有明 黄风义 Wang Yong;Wei Wei;Yang Dong;Sun Biao;Zhang Xingwen;Zhang Youming;Huang Fengyi

作者机构：东南大学信息科学与工程学院南京210096 扬州船用电子仪器研究所扬州225001 河北半导体研究所石家庄050002 东南大学网络空间安全学院南京210096 紫金山实验室南京211111 

出 版 物：《Journal of Southeast University(English Edition)》 (东南大学学报（英文版）)

年 卷 期：2021年第37卷第1期

页      码：8-13页

摘      要：基于硅转接板工艺实现了超宽带混频微系统组件的三维异构集成,该混频组件由混频多功能芯片和倍频多功能芯片级联而成.基于晶圆级金金键合工艺实现了四层高阻硅基板堆叠封装.每一层均采用硅通孔(TSV)技术,从而实现信号之间的互连.单片集成微波芯片(MMIC)嵌入在硅腔内,硅基滤波器集成在高阻硅衬底上.硅基转接板上的互连线、腔体以及滤波器采用AutoCAD进行设计,并采用HFSS进行三维电磁场仿真.根据测试结果,混频多功能芯片的射频频率为40~44 GHz,中频频率可覆盖Ku频段,尺寸为10 mm×11 mm×1 mm.倍频多功能芯片工作在16~20 GHz频段,对基波信号的抑制优于50 dB,对二次谐波信号的抑制优于40 dB,尺寸为8 mm×8 mm×1 mm.级联后完全组装的混频组件可实现优于-50 dBc的杂散抑制比和优于15 dB的增益.

主 题 词：硅基转接板 混频 倍频 多功能芯片 

学科分类：080903[080903] 0810[工学-土木类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1003-7985.2021.01.002

馆 藏 号：203102767...