静态存储器同一字节多位翻转实验研究

作     者：张庆祥 杨兆铭 李志常 李淑媛 江华 

作者机构：兰州物理研究所真空低温技术与物理国家重点实验室甘肃兰州730000 中国原子能科学研究院核物理研究所北京102413 

出 版 物：《原子能科学技术》 (Atomic Energy Science and Technology)

年 卷 期：2001年第35卷第6期

页      码：485-489页

摘      要：对两种大容量静态存储器 (SRAM )HM62 812 8、HM 62 85 12进行了同一字节多位翻转 (SMU)实验研究。HI 13串列加速器提供的F、Cl及Br离子轰击样品时 ,采用网络控制的 6116 62 85 12全系列SRAM单粒子效应测试系统进行动态检测 ,得到了两种器件的单粒子翻转 (SEU )以及SMU的σ LET曲线 ,分析了LET值以及测试图形对截面的影响。

主 题 词：静态存储器 单粒子翻转 同一字节多位翻转 航天器 抗辐射 设计 半导体器件 空间辐射 单粒子效应 

学科分类：08[工学] 0807[工学-电子信息类] 082501[082501] 0827[工学-食品科学与工程类] 0703[理学-化学类] 0825[工学-环境科学与工程类] 081201[081201] 0801[工学-力学类] 0812[工学-测绘类] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1000-6931.2001.06.002

馆 藏 号：203102777...