基于GGNMOS的ESD建模与仿真技术研究

作     者：郭鑫 唐晓莉 张怀武 GUO Xin;TANG Xiaoli;ZHANG Huaiwu

作者机构：电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都610054 

基　　金：自然科学基金资助项目(51171038) 

出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期：2015年第37卷第2期

页      码：327-329页

摘      要：随着微电子加工工艺技术的发展,集成电路对静电越来越敏感。设计合理有效的静电放电(ESD)保护器件显得日趋重要。传统的"手动计算+流片验证"的设计方法费时耗力。该文基于栅极接地的NMOS(GGNMOS)器件,以Sentaurus为仿真平台,建立器件模型,根据ESD防护能力的需求,计算出GGNMOS的设计参数,设计出防护指标达到人体模型(HBM)4.5kV的管子。结果表明,该方法简单有效,能缩短设计周期,是防护器件设计的一种优秀方法。

主 题 词：栅极接地的NMOS(GGNMOS) 人体模型(HBM) 静电放电(ESD) 建模 仿真 

学科分类：080903[080903] 1002[医学-临床医学类] 0808[工学-自动化类] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0703[理学-化学类] 0702[理学-物理学类] 

馆 藏 号：203102816...