InGaN太阳电池光电转换特性的理论计算

作     者：张玉宁 剡文杰 ZHANG Yu-ning;YAN Wen-jie

作者机构：宁夏大学物理电气信息学院宁夏银川750021 

基　　金：国家自然科学基金(61066002) 

出 版 物：《电源技术》 (Chinese Journal of Power Sources)

年 卷 期：2016年第40卷第3期

页      码：604-606页

摘      要：从p-n结太阳电池的理论模型和InxGa1-xN带隙的经验公式出发,结合实际材料参数,通过改变In组分来调节InxGa1-xN带隙。计算了标准太阳光谱AM1.5光子通量及该光谱下InxGa1-xN单结和InxGa1-xN/Ga P异质双结太阳电池的光电转换效率。结果显示,InxGa1-xN单结太阳电池的最大转换效率是27.28%,与之对应的In组分为0.82。InxGa1-xN/Ga P异质双结太阳电池的最高转换效率为30.75%,对应的In组分是0.74。这些结果可作为设计制备In Ga N太阳电池的理论依据。

主 题 词：光电子材料 In Ga N太阳电池 光电特性 转换效率 理论计算 

学科分类：08[工学] 080502[080502] 0805[工学-能源动力学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-087X.2016.03.036

馆 藏 号：203102852...