硅基ZnO光电导紫外传感器的制备与性能表征

作     者：李林森 汪涛 LI Linsen;WANG Tao

作者机构：华东微电子研究所微系统安徽省重点实验室安徽合肥230088 

基　　金：国家重点研发计划(2020YFB2008704) 

出 版 物：《电子元件与材料》 (Electronic Components And Materials)

年 卷 期：2021年第40卷第4期

页      码：328-332页

摘      要：通过控制氩氧气体体积流量比,在单晶硅片上通过磁控溅射的方法制得c轴择优取向的ZnO薄膜,其(002)衍射峰的半高宽仅为0.3°,ZnO薄膜的常温光致发光光谱仅有一个发光峰位于3.17 eV,是ZnO受主缺陷的三阶声子伴线发光峰(FXA-3LO),该峰的出现也说明了ZnO薄膜具有较高的纯度和晶体质量,ZnO薄膜电阻率为160Ω·cm。在此基础上利用光刻剥离技术制备了传感器18对叉指Au电极结构,电极的线宽/线间距为25μm/25μm。样品的实际参数指标与设计指标一致,光电性能指标基本符合要求,对于280~360 nm的中长紫外线具有良好的响应特性,为后续ZnO紫外传感器的性能优化奠定了设计与技术基础。

主 题 词：ZnO 紫外传感器 磁控溅射 薄膜 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.14106/j.cnki.1001-2028.2021.1859

馆 藏 号：203102957...