SiC-MOSFET开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计

作     者：施洪亮 罗德伟 王佳佳 谭渺 杨奎 周帅 饶沛南 SHI Hongliang;LUO Dewei;WANG Jiajia;TAN Miao;YANG Kui;ZHOU Shuai;RAO Peinan

作者机构：株洲中车时代电气股份有限公司湖南株洲412001 

出 版 物：《控制与信息技术》 (CONTROL AND INFORMATION TECHNOLOGY)

年 卷 期：2021年第2期

页      码：61-66页

摘      要：针对SiC-MOSFET开关模块开关速度快、开关电压尖峰高、缓冲吸收电路参数难以确定的问题,文章提出一种RC缓冲吸收电路参数快速优化设计方法。该方法基于包含寄生参数的电路分析模型并利用双脉冲电路,通过不同的缓冲吸收电路参数曲线来确定电路参数的优化区间并选取最优的缓冲吸收电路参数。仿真和实验结果表明,采用该方法能够针对SiC-MOSFET开关模块关断尖峰电压和缓冲吸收电路总损耗快速设计出满足要求的电路参数,使关断尖峰电压和缓冲吸收电路损耗处于系统优化的最佳区间。

主 题 词：SiC RC缓冲吸收 双脉冲 寄生参数 电压尖峰 优化设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13889/j.issn.2096-5427.2021.02.010

馆 藏 号：203103127...