硅基OLED数字型像素驱动电路MOS管尺寸对数据写入的影响

作     者：徐勇 祁鹏赫 黄苒 赵博华 刘梦新 无 XU Yong;QI Peng-he;HUANG Ran;ZHAO Bo-hua;LIU Meng-xin;无

作者机构：中国科学院大学北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029 中国科学院硅器件技术重点实验室北京100029 

出 版 物：《液晶与显示》 (Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays)

年 卷 期：2021年第36卷第5期

页      码：680-686页

摘      要：以传统的6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构硅基OLED像素电路为例,分析了开关管尺寸对数据写入的影响。提出了一种新型数字型硅基OLED像素电路,用5T(4T+1MOS驱动管)实现与6T SRAM(5T+1MOS驱动管)结构相同的功能。另外新型的像素电路与传统的SRAM结构相比,其数据写入不受开关管尺寸的影响,可以采用最小尺寸的开关管。基于SMIC 0.18μm 1.8 V/5 V混合信号工艺设计,通过仿真得出6T SRAM结构像素电路能正常写入的开关管最小尺寸为540 nm/600 nm,像素单元版图面积为4.3μm×4.3μm;新型5T结构像素电路中的开关管尺寸可以为工艺最小尺寸,即300 nm/600 nm,版图面积为3.91μm×3.91μm,相比之下单个像素单元版图面积缩小了17.3%。

主 题 词：硅基OLED 像素电路 SRAM 数字驱动 开关管尺寸 

学科分类：080901[080901] 0809[工学-计算机类] 081203[081203] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0835[0835] 0803[工学-仪器类] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.37188/CJLCD.2020-0357

馆 藏 号：203103128...