抗辐射封装加固器件典型失效模式

作     者：赵鹤然 王吉强 李靖旸 康敏 孔明 ZHAO Heran;WANG Jiqiang;LI Jingyang;KANG Min;KONG Ming

作者机构：中国电子科技集团公司第四十七研究所沈阳110000 中国科学院金属研究所沈阳110016 

出 版 物：《微处理机》 (Microprocessors)

年 卷 期：2021年第42卷第2期

页      码：10-13页

摘      要：封装屏蔽是抗辐射加固技术领域的重要分支,相比于芯片的设计加固和工艺加固,具有成本低、周期短、难度小等优势,可根据集成电路应用时所处的辐射环境,选择相应的屏蔽材料实现有针对性的封装加固。基于复合金属材料屏蔽原理,提出一种一体化的抗辐射封装结构及其制备方法。屏蔽涂层制备具有涂覆精准、结合稳定,厚度可调节、成分可掺杂等特点。通过对一体化屏蔽封装开展FMEA分析,归纳总结制备过程中的典型失效模式,并根据严重度、频度和探测度,计算出风险系数RPN值,最终提出应对措施。

主 题 词：屏蔽 封装加固 抗辐射 总剂量效应 电子辐射 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-2279.2021.02.003

馆 藏 号：203103130...