一种低功耗低延迟的容忍DNU锁存器设计

作     者：国欣祯 杨潇 郭阳 GUO Xinzhen;YANG Xiao;GUO Yang

作者机构：合肥工业大学电子科学与应用物理学院合肥230009 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61904047) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2021年第51卷第2期

页      码：203-210页

摘      要：随着集成电路器件特征尺寸的进一步减小,锁存器内部节点之间的距离越来越短。由于内部节点间的电荷共享效应,器件在空间辐射环境中频繁发生单粒子翻转(SEU),受影响节点由单节点扩展到双节点。文章提出了一种新型的锁存器加固结构,利用C单元固有的保持属性,实现对单节点翻转(SNU)和双节点翻转(DNU)的完全容忍。HSPICE仿真结果表明,相比于其他同类型的加固设计,所提出的锁存器功耗平均下降了34.86%,延迟平均下降了59%,功耗延迟积平均下降了67.91%。PVT分析表明,该锁存器结构对电压、温度、制造工艺的变化不敏感。

主 题 词：单粒子翻转 低功耗 低延迟 双节点翻转 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.200287

馆 藏 号：203103133...