高线性度单压E—pHEMT FET

作     者：江兴 

出 版 物：《半导体信息》 (Semiconductor Information)

年 卷 期：2004年第1期

页      码：24-24页

摘      要：ATF—501P8为高线性度单电压E—phemt(增强模式伪形态高电子迁移率晶体管)场效应管,专为发射功放器和接收低噪声放大器应用而设计,广泛应用于蜂窝/PCS/WCDMA基站、近地轨道卫星系统、陆地多信道多端口分布系统(MMDS)、无线局域网(WLAN)、无线本地环路(WLL)、固定无线接入及工作频率在50MHz～6GHz之间的其他服务中。在2GHz的单电压操作时,ATF—501P8能实现更高效的多信道放大功能。

主 题 词：高线性度 pHEMT FET 无线本地环路 多信道 低噪声放大器 单电 场效应管 固定无线接入 近地轨道 分布系统 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203103231...