AlGaN/GaN非凹槽混合阳极SBD射频性能及建模

作     者：刘芷诫 郑英奎 康玄武 孙跃 吴昊 陈晓娟 魏珂 Liu Zhijie;Zheng Yingkui;Kang Xuanwu;Sun Yue;Wu Hao;Chen Xiaojuan;Wei Ke

作者机构：中国科学院大学北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61804172) 国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403000) 广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2021年第46卷第5期

页      码：358-364,381页

摘      要：基于大功率微波输能的需求,制备了新型AlGaN/GaN非凹槽混合阳极肖特基势垒二极管(SBD)。对新型结构的器件进行了小信号建模,可用于微波输能电路设计。通过开路、短路去嵌结构法从小信号S参数中提取了器件的寄生电容、电感和电阻,结合去嵌后的S参数与直流I-V、C-V特性曲线提取了器件的本征参数。综合寄生和本征参数建立了器件的小信号模型,将模型仿真结果与器件的实测结果进行了对比,同时引入误差因子评估了模型的准确度。结果表明,在0.1~10 GHz内,回波损耗相对误差小于4.1%,插入损耗相对误差小于3.7%,验证了所提出模型的可行性和准确性。

主 题 词：GaN AlGaN/GaN异质结 肖特基势垒二极管(SBD) 混合阳极 微波输能 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.05.004

馆 藏 号：203103254...