半导体微碟激光器设计原理与工艺制作

作     者：吴根柱 杜宝勋 杨进华 任大翠 张兴德 

作者机构：长春光学精密机械学院高功率半导体激光国家重点实验室长春130022 中国科学院北京半导体研究所北京100083 

基　　金：国家兵器预研项目 (CHGJ 1998)资助课题 

出 版 物：《光学学报》 (Acta Optica Sinica)

年 卷 期：2002年第22卷第5期

页      码：563-567页

摘      要：用经典量子电动力学理论初步研究了半导体碟型微腔激光器的设计原理 ,采用光刻、反应离子刻蚀和选择化学腐蚀等现代微加工技术制备出抽运阈值功率很低且品质因数很高的低温光抽运InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器。这种激光器制作工艺简单 ,对有效光子状态密度调制较大 ,是比较理想的半导体微腔激光器。

主 题 词：半导体微碟激光器 设计原理 工艺制作 有效光子状态密度 光抽运 电偶极子 品质因数 

学科分类：0808[工学-自动化类] 080901[080901] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080401[080401] 0804[工学-材料学] 0805[工学-能源动力学] 0803[工学-仪器类] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:0253-2239.2002.05.012

馆 藏 号：203103292...