功率MOSFET产品可靠性问题的分析与改善

作     者：张来柱 ZHANG Lai-zhu

作者机构：天水华天科技股份有限公司测试一部 

出 版 物：《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)

年 卷 期：2021年第30卷第5期

页      码：61-63,87页

摘      要：MOS集成电路中,金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)作为开关器件被封测公司广泛生产并应用到各个领域。从产品设计到封装成型的过程中伴随着各种可靠性问题[1]。测试工序是对产品性能最重要的检验和把关,测试数据将会把各种可靠性问题呈现出来。本文将通过具体案例对功率MOSFET产品的低导通阻抗特性中存在的可靠性问题进行数据分析和监控预警。

主 题 词：MOSFET 可靠性 数据分析 失效分析 改善措施 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203103303...