高灵敏度4H-SiC基高温压力传感器

作     者：李永伟 梁庭 雷程 李强 李志强 熊继军 Li Yongwei;Liang Ting;Lei Cheng;Li Qiang;Li Zhiqiang;Xiong Jijun

作者机构：中北大学电子测试技术国家重点实验室太原030051 太原工业学院自动化系太原030051 

基　　金：国家自然科学基金重点项目(51935011) 中央引导地方科技发展专项资金资助项目(YDZX2020-1400001664) 太原工业学院青年学科带头人资助项目(2020XKLG04) 

出 版 物：《微纳电子技术》 (Micronanoelectronic Technology)

年 卷 期：2021年第58卷第6期

页      码：489-495,538页

摘      要：p型4H-SiC相较n型4H-SiC具有更高的压阻效应,p型4H-SiC正方形膜片作为弹性元件相较圆形膜片具有更高的灵敏度。基于此,设计了一种基于p型4H-SiC压阻效应的高灵敏度碳化硅压力传感器,探索了Ni/Al/Ni/Au与p型4H-SiC之间形成良好欧姆接触的条件,并制备了传感器芯片。在25~600℃空气环境中对传感器芯片的电阻进行了测试,验证了传感器在≤600℃下具有良好的电连接性。最后,在常温至250℃下对传感器进行性能测试。实验结果显示,常温环境下传感器具有较高的输出灵敏度为10.9μV/V/kPa,即使在250℃时其输出灵敏度也约为6.7μV/V/kPa。该研究为高温压阻式压力传感器发展提供了一定的技术参考。

主 题 词：压力传感器 微电子机械系统(MEMS) 碳化硅(SiC) 压阻效应 弹性元件 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 080202[080202] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.13250/j.cnki.wndz.2021.06.005

馆 藏 号：203103390...