一种基于MEMS技术的压力传感器芯片设计

作     者：王大军 李淮江 WANG Da-jun;LI Huai-jiang

作者机构：淮北师范大学物理与电子信息学院安徽淮北235000 

基　　金：安徽省2010年科技计划项目(10080703003) 安徽省教育厅自然科学研究重点项目(KJ2008A059) 

出 版 物：《吉林师范大学学报（自然科学版）》 (Journal of Jilin Normal University:Natural Science Edition)

年 卷 期：2011年第32卷第1期

页      码：133-136页

摘      要：硅压力传感器是利用半导体硅的压阻效应制成,其品质的优劣主要决定于敏感结构的设计与制作工艺.文章从硅压力传感器敏感薄膜的选择、敏感电阻条的确定以及敏感电阻位置的选取,设计了一种方案并进行了实验验证,得出所设计的压力传感器精度达到0.1%-0.25%F.S.

主 题 词：压阻式压力传感器 力敏电阻 芯片设计 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-3873.2011.01.040

馆 藏 号：203103413...