氮化铝微环谐振腔临界耦合条件及制备工艺研究

作     者：韩毅帅 孙天玉 贾慧民 唐吉龙 房丹 王登魁 王晓华 张宝顺 魏志鹏 HAN Yishuai;SUN Tianyu;JIA Huimin;TANG Jilong;FANG Dan;WANG Dengkui;WANG Xiaohua;ZHANG Baoshun;WEI Zhipeng

作者机构：长春理工大学理学院高功率半导体激光国家重点实验室长春130022 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所江苏苏州215123 

基　　金：国家自然科学基金面上项目(No.61674021) 

出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期：2021年第50卷第5期

页      码：86-94页

摘      要：针对氮化铝微环谐振腔实现临界耦合条件困难的问题,设计并制备了氮化铝弯曲耦合微环谐振腔。分析了微环谐振腔耦合系数公式,分别阐述了多种提高耦合强度方案的优势和劣势,最终选用弯曲耦合结构来增强耦合强度,得到了在宽耦合间隙下,实现临界耦合条件的解决方案。在蓝宝石衬底上生长了高质量的氮化铝单晶薄膜,选用导电胶克服材料的不导电性,并利用电子束曝光系统将弯曲角度为40°、耦合间隙0.19μm、波导宽度0.41μm的微环谐振腔图形化,分析优化多项氮化铝刻蚀参数,最终将图形转移至氮化铝层,得到了耦合间隙均匀、侧壁平整的弯曲耦合氮化铝微环谐振腔。该研究为氮化铝微环谐振腔实现临界耦合条件提供了选择参考。

主 题 词：氮化铝 微环谐振腔 临界耦合 弯曲耦合 电子束曝光 

学科分类：070207[070207] 07[理学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/gzxb20215005.0514003

馆 藏 号：203103417...