氮化物应力膜SOI SiGe异质结双极晶体管的频率特性研究

作     者：刘培培 文剑豪 魏进希 王冠宇 周春宇 LIU Peipei;WEN Jianhao;WEI Jinxi;WANG Guanyu;ZHOU Chunyu

作者机构：重庆邮电大学光电工程学院重庆400065 燕山大学理学院河北省微结构材料物理重点实验室河北秦皇岛066004 

基　　金：国家自然科学基金项目(61704147) 河北省教育厅科学基金项目(QN2017150) 

出 版 物：《重庆理工大学学报（自然科学）》 (Journal of Chongqing University of Technology：Natural Science)

年 卷 期：2021年第35卷第5期

页      码：163-169页

摘      要：为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si_(3)N_(4))应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层Si_(3)N_(4),使其在基区引入单轴压应力,增强载流子的迁移率,来提高器件的截止频率f_(T)和最高振荡频率f_(max)。采用SILVACO软件进行仿真,重点研究不同埋氧化层厚度和氮化膜对器件频率特性的影响。结果表明:在埋氧化层厚度为190nm,基区Ge组分为17%~30%的阶梯型分布且淀积Si_(3)N_(4)薄膜引入应力时,截止频率f_(T)约为638GHz,最高振荡频率f_(max)约为795GHz。与传统的SOISiGeHBT相比,截止频率f_(T)提高了38GHz,最高振荡频率f_(max)提高了44GHz。

主 题 词：单轴应变 SOI SiGe HBT 埋氧化层厚度 频率特性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-8425(z).2021.05.022

馆 藏 号：203103422...