多通道T/R组件多热源耦合仿真模型

作     者：彭浩 桂明洋 迟雷 宋瑛 Peng Hao;Gui Mingyang;Chi Lei;Song Ying

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 国家半导体器件质量监督检验中心石家庄050051 河北工业职业技术学院环境与化学工程系石家庄050091 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2021年第46卷第6期

页      码：492-496页

摘      要：半导体器件可靠性受其热效应的影响,多通道T/R组件的温度场本身存在多热源耦合,还受到电磁损耗的影响。为定量研究组件的热效应,建立了基于有限元仿真的T/R组件热力学模型,除芯片热效应和组件的三维结构外,该模型还考虑了组件不同位置的材料特性、组件表面电磁功率损耗和印制电路板(PCB)布线,较传统模型大幅提高了模型精细化程度。通过仿真得到了多通道T/R组件的温度场分布,为组件热设计提供了依据,仿真分析认为PCB含铜量和外壳表面积是影响散热效率的关键因素。最后利用红外热像仪对组件进行测试,并将实测结果与仿真结果进行验证。仿真结果与实测结果相接近,模型精度较传统仿真模型有较大提升。

主 题 词：T/R组件 热力学模型 有限元仿真 温度场 红外测温 

学科分类：080903[080903] 080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 0810[工学-土木类] 081105[081105] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 081001[081001] 081002[081002] 0825[工学-环境科学与工程类] 0811[工学-水利类] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.06.013

馆 藏 号：203103455...