硅烷氨气比对PECVD氮化硅薄膜性能的影响

作     者：屈盛 毛和璜 韩增华 曹晓宁 周春兰 王文静 张兴旺 

作者机构：欧贝黎新能源科技股份有限公司 中国科学院电工研究所 中国科学院半导体研究所 

基　　金：江苏省科技基础设施建设计划项目(BM2009611) 江苏省自然科学基金项目(BK2009620) 

出 版 物：《中国建设动态（阳光能源）》 

年 卷 期：2011年第6期

页      码：52-53,57页

摘      要：利用PECVD在硅片上沉积SiNx:H薄膜,研究硅烷氨气流量比对SiNx:H薄膜的组分、折射率和钝化效果的影响。X射线光电子能谱(XPS)和椭偏仪的测试结果表明,硅烷氨气流量比(SAR)在0.09～0.38以内沉积的所有薄膜都呈现出富硅的组分,而且随着SAR的逐渐增加,Si的含量逐渐增加,折射率逐渐增大。微波光电导衰退(μ-PCD)的测试结果表明,Si含量适中(也即折射率适中)的薄膜,相比Si含量过低或过高的薄膜,呈现出更为稳定的钝化效果。

主 题 词：晶体硅太阳电池 PECVD氮化硅薄膜 硅烷氨气比 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203103477...