超结高压MOSFET驱动电路及EMI设计

作     者：刘松 曹雪 刘瞻 张龙 

作者机构：万国半导体元件(深圳)有限公司上海200070 

出 版 物：《电子产品世界》 (Electronic Engineering & Product World)

年 卷 期：2021年第28卷第6期

页      码：77-82页

摘      要：分析了超结结构功率MOSFET在开关过程中由于Coss和Crss电容更强烈的非线性产生更快开关速度的特性;给出了不同外部驱动参数对开关过程的dV/dt和di/dt的影响;列出了不同驱动电路开关波形及开关性能的变化。最后,设计了优化驱动电路,实现优化的EMI结果,并给出了相应驱动电路的EMI测试结果。

主 题 词：超结 驱动 EMI 非线性 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203103571...