侧壁粗化GaN基倒装芯片光提取效率的模拟分析

作     者：王雪 崔志勇 王兵 郭凯 段瑞飞 曾一平 李晋闽 Wang Xue;Cui Zhiyong;Wang Bing;Guo Kai;Duan Ruifei;Zeng Yiping;Li Jinmin

作者机构：北京中科优唯科技有限公司北京100083 

基　　金：国家重点研发计划(2017YFB0404202) 

出 版 物：《激光与光电子学进展》 (Laser & Optoelectronics Progress)

年 卷 期：2021年第58卷第7期

页      码：323-328页

摘      要：针对由激光隐形切割技术导致的蓝宝石衬底侧壁粗化对GaN基发光二极管(LED)倒装芯片光提取效率(LEE)的影响,提出一种蒙特卡罗光线追踪的方法。使用蒙特卡罗光线追踪法具体分析侧壁隐形切割对LED倒装芯片各出光面LEE的影响,并对LED倒装芯片蓝宝石侧壁隐形切割的层数和位置进行优化设计。仿真结果表明,随着蓝宝石侧壁隐形切割层数的增多,以及蓝宝石侧壁等效粗糙度的提升,LED倒装芯片顶部出光面的LEE缓慢减少,而侧壁和LED倒装芯片总的LEE逐渐增加。采用蒙特卡罗光线追踪法模拟均匀激光打点与组合激光打点对LED倒装芯片LEE的影响。实验结果表明,当隐形切割层数固定时,均匀激光打点的侧壁和总的LEE均高于组合激光打点。

主 题 词：光学器件 发光二极管 激光隐切 侧壁粗化 光提取效率 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 07[理学] 070205[070205] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 0702[理学-物理学类] 

核心收录：

D　O　I：10.3788/LOP202158.0723001

馆 藏 号：203103678...