高谐波抑制隔离-滤波集成磁性器件仿真设计

作     者：尹久红 田珺宏 闫欢 韩晓川 胡艺缤 高春燕 赵春美 YIN Jiu-hong;TIAN Jun-hong;YAN Huan;HU Yi-bin;HAN Xiao-chuan;GAO Chun-yan;ZHAO Chun-mei

作者机构：西南应用磁学研究所四川绵阳621000 

基　　金：四川省科技计划项目(2019YFG0005) 

出 版 物：《磁性材料及器件》 (Journal of Magnetic Materials and Devices)

年 卷 期：2021年第52卷第3期

页      码：30-34页

摘      要：针对5G通讯中磁性器件高二次谐波抑制的发展需求,通过对传统滤波器进行分析,结合HFSS电场软件对传统的阶梯阻抗谐振器(SIR)滤波器进行结构优化和仿真分析。在满足小尺寸要求的前提下实现了器件带内、带外优异的微波性能。通过与铁氧体隔离器进行集成优化,最终设计了一款带内频响特性好、带外抑制度高的集成磁性器件。器件实测性能指标满足项目技术要求:带内工作频率:f=24~27.5 GHz,带内回波损耗:≥20 dB,带内隔离度:≥20 dB,带外二次谐波抑制:≥35 dB。

主 题 词：隔离-滤波集成磁性器件 微带隔离器 滤波器 二次谐波抑制 仿真设计 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 080902[080902] 08[工学] 

D　O　I：10.19594/j.cnki.09.19701.2021.03.006

馆 藏 号：203103692...