一种HfOx阻变存储器的1T1R单元设计

作     者：黄传辉 戴澜 

作者机构：北方工业大学 

出 版 物：《电子世界》 (Electronics World)

年 卷 期：2021年第11期

页      码：172-173页

摘      要：本文基于UMC 28nm工艺和HfOx体系的RRAM器件进行1T1R存储单元设计,采用低压NMOS控制,提高1T1R单元的集成度,降低操作电压,以突破传统非易失性存储器闪存所面临的设计瓶颈,并最终流片验证。设计和测试结果表明最小存储单元面积达0.053um~2,操作电压控制在1.8V以内。以闪存为基础的非易失性存储架构虽是目前的主流方案,但是伴随着工艺制程地进步,其在物理、工艺、成本等诸多方面上面临着难以突破的瓶颈。

主 题 词：非易失性存储器 存储单元 阻变存储器 操作电压 闪存 单元设计 工艺制程 

学科分类：08[工学] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.19353/j.cnki.dzsj.2021.11.071

馆 藏 号：203103732...