压接型IGBT芯片动态特性实验平台设计与实现

作     者：彭程 李学宝 张冠柔 赵志斌 崔翔 Peng Cheng;Li Xuebao;Zhang Guanrou;Zhao Zhibin;Cui Xiang

作者机构：新能源电力系统国家重点实验室(华北电力大学)北京102206 

基　　金：国家自然科学基金-国家电网公司联合基金重点项目(U1766219) 国家电网有限公司科技项目(520201190095)资助 

出 版 物：《电工技术学报》 (Transactions of China Electrotechnical Society)

年 卷 期：2021年第36卷第12期

页      码：2471-2481页

摘      要：压接型IGBT芯片在正常的运行工况下承受着电-热-力多物理量的综合作用,研究电-热-力影响下的IGBT芯片动态特性对于指导IGBT芯片建模以及规模化IGBT并联封装设计具有重要意义。为了全面获得电-热-力综合影响下压接型IGBT芯片的动态特性,该文结合双脉冲测试电路原理,研制出具备电-热-力灵活调节的压接型IGBT芯片动态特性实验平台。通过对动态特性实验平台关键问题进行有限元仿真计算,实现平台回路寄生电感、IGBT芯片表面压力分布及机械夹具温度分布的优化设计。在此基础上建立压接型IGBT芯片动态特性实验平台,对实验平台进行综合调试,结果表明,该文所设计的实验平台具有寄生电感小、IGBT芯片表面压力分布均衡及机械夹具各组件温度分布合理的特点,可以满足电-热-力综合影响因素下压接型IGBT芯片动态特性实验的需求。

主 题 词：压接型IGBT芯片 动态特性 寄生电感 温度 机械压力 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

D　O　I：10.19595/j.cnki.1000-6753.tces.201445

馆 藏 号：203103743...