一种900V大功率MOSFET器件结构设计

作     者：刘好龙 于圣武 LIU Haolong;YU Shengwu

作者机构：中国电子科技集团公司第四十七研究所沈阳110000 南京微盟电子有限公司南京210042 

出 版 物：《微处理机》 (Microprocessors)

年 卷 期：2021年第42卷第3期

页      码：18-22页

摘      要：鉴于高压功率MOSFET器件在耐压、电流能力、导通电阻等方面固有的优点,为进一步挖掘其在武器装备体系中的关键性作用、更好地发挥其为电子及电机设备提供驱动的功能,设计并实现一款900V大功率MOSFET器件。以VDMOS器件为例分析其基本结构、工作原理和主要参数,通过理论计算制定产品的外延层及栅氧等相关工艺参数,并对元胞尺寸进行了优化设计。终端结构采用场限环与场板相结合的技术,并进行模拟仿真。仿真结果符合预期,并依此给出最终设计版图。

主 题 词：高压MOSFET器件 VDMOS结构 外延层 TCAD仿真 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1002-2279.2021.03.005

馆 藏 号：203103750...