高靶材利用率高镀膜均匀性条形溅射靶的设计与实现

作     者：陈长平 佘鹏程 陈峰武 程文进 陈庆广 CHEN Chang-ping;SHE Peng-cheng;CHEN Feng-wu;CHENG Wen-jing;CHEN Qing-guang

作者机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所 

出 版 物：《中国集成电路》 (China lntegrated Circuit)

年 卷 期：2021年第30卷第7期

页      码：70-73页

摘      要：针对传统条形磁控溅射靶磁场分布不理想、靶材利用率低、镀膜不均匀等不足,通过优化磁场分布,缩小条形靶端部与中部的磁场差距,增大靶材的刻蚀均匀性,增大有效镀膜区,从而提高靶材利用率和改善镀膜均匀性。本文结合模拟仿真、结构设计与工艺验证的方式,开发出一种镀膜均匀性优于3%、靶材利用率超过30%的条形磁控溅射靶。

主 题 词：磁控溅射 镀膜均匀性 靶材利用率 薄膜混合集成电路 

学科分类：080503[080503] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 

馆 藏 号：203103803...