基于裸芯片覆膜的薄膜体声波滤波器

作     者：刘娅 马晋毅 孙科 张必壮 罗方活 徐阳 蒋平英 谭发曾 许东辉 田本朗 LIU Ya;MA Jinyi;SUN Ke;ZHANG Bizhuang;LUO Fanghuo;XU Yang;JIANG Pingying;TAN Fazeng;XU Donghui;TIAN Benlang

作者机构：电子科技大学材料与工程学院四川成都610054 中国电子科技集团公司第二十六研究所重庆400060 

出 版 物：《压电与声光》 (Piezoelectrics & Acoustooptics)

年 卷 期：2021年第43卷第3期

页      码：299-302页

摘      要：该文研制了一种空腔型的薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器裸芯片。利用FBAR一维Mason等效电路模型对谐振器进行设计,然后采用实际制作的谐振器模型形成阶梯型结构FBAR滤波器,利用ADS软件对FBAR滤波器裸芯片进行优化设计。仿真结果表明,FBAR滤波器裸芯片尺寸为1 mm×1 mm×0.4 mm,滤波器的中心频率为3 GHz,中心插损为1.3 dB。采用空腔型结构并制备出FBAR滤波器裸芯片,同时采用覆膜工艺对FBAR裸芯片表面进行覆膜保护,避免裸芯片在使用或运输等过程中被损坏。测试结果显示,覆膜前滤波器裸芯片的中心频率为2.993 GHz,中心插损为1.69 dB;覆膜后滤波器的中心频率为2.997 GHz,中心插损为1.51 dB。对覆膜的影响和覆膜前后的差异进行了分析。

主 题 词：薄膜体声波谐振器(FBAR) Mason模型 裸芯片 覆膜 插入损耗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.11977/j.issn.1004-2474.2021.03.001

馆 藏 号：203103845...