高纯锗探测器低本底硅前端电路基板设计

作     者：宋天骁 蔡坚 何力 邓智 王谦 SONG Tian-xiao;CAI Jian;HE Li;DENG Zhi;WANG Qian

作者机构：清华大学微电子学研究所北京100084 清华大学工程物理系北京100084 粒子技术与辐射成像教育部電点实验室北京100084 北京信息科学与技术国家研究中心北京100084 同方威视技术股份有限公司北京100084 

基　　金：国家重点研发计划(2017 YFA0402202)资助 

出 版 物：《核电子学与探测技术》 (Nuclear Electronics & Detection Technology)

年 卷 期：2020年第40卷第5期

页      码：685-689页

摘      要：设计并完成了用于高纯锗探测器的硅基低本底前端电路基板。结合装配需求、基板特征阻抗和工艺可行性完成了尺寸为15 mmX15 mm,包含14个通孔结构的硅基板设计。利用光敏性苯并环丁烯在硅基板上进行焊盘开窗,同时作为金属布线保护性介质。通过微纳加工工艺完成了硅基板的制备,通过ASIC芯片的引线键合.无源器件的表面贴装完成了封装。实验测试表明:硅基板功能良好、噪声水平优于有机基板、可以通过初步的可靠性测试(冷热冲击100个循环、高温储存72h).在连续8h工作中稳定性良好。

主 题 词：高纯锗探测器 基板技术 硅基板 苯并环丁烯 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

馆 藏 号：203103903...