抗反射膜SiN的热退火特性

作     者：张书明 赛小峰 侯洵 

作者机构：中国科学院西安光学精密机械研究所半导体室 

出 版 物：《光子学报》 (Acta Photonica Sinica)

年 卷 期：1995年第24卷第5期

页      码：468-471页

摘      要：本文研究了ＰＥＣＶＤ抗反射膜ＳｉＮ的热退火特性。测量结果表明，经过制备ＧａＡｓ透射光阴极的热压粘结工艺的热退火处理ＳｉＮ薄膜的折射率增加了约０．１，薄膜厚度减少了约１５％。ＩＲ透射谱分析表明，这是由于退火后膜中Ｈ的释放而引起化学键比例变化所致。此项工作为透射式ＧａＡｓ光阴极抗反射膜的设计和制备提供了依据。

主 题 词：透射光阴极 热退火 抗反射膜 氮化硅 

学科分类：081704[081704] 07[理学] 08[工学] 0817[工学-轻工类] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 0703[理学-化学类] 070301[070301] 

核心收录：

馆 藏 号：203103942...