高剂量离子注入激光退火SOM上硅膜的Raman光谱

作     者：钱佑华 冷静民 林成鲁 邢昆山 

作者机构：复旦大学物理系 中科院上海冶金所离子束开放实验室 

基　　金：国家教委博士点基金 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：1989年第10卷第6期

页      码：449-452页

摘      要：用Raman光谱测量了高剂量B^+注入后,经不同激光功率退火的SOM上的硅膜.硅膜的晶化和杂质的激活,在光谱上得到充分的反映.满足临界条件的激光退火工艺,可使SOM达到制作压敏器件的要求.设计了两种不同的样品区域,来分辨晶化与重掺各目对Raman散射的贡献.对光谱特征随退火功率的变化以及Fano线形问题,作了初步的分析讨论.

主 题 词：SOM 高剂量 离子注入 硅 Raman光谱 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

核心收录：

馆 藏 号：203103945...