针对总线和POL转换器优化的MOSFET

作     者：Mike Speed 

作者机构：飞兆半导体 

出 版 物：《电子设计应用》 (Electronic Design & Application World)

年 卷 期：2006年第7期

页      码：94-96页

摘      要：随着能够降低系统成本并提高系统效率的中间总线架构(IBA)在电信功率系统中的日渐流行,MOSFET的额定击穿电压也正在不断扩展,以优化RDs(on)和成本性能.本文将讨论在商用DC/DC转换器和POL 转换器中日益普及的MOSFET特性.

主 题 词：MOSFET POL转换器 中间总线架构 优化 DC/DC转换器 RDS(on) 功率系统 系统效率 系统成本 击穿电压 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

馆 藏 号：203103971...