SiGe HBT基区渡越时间研究

作     者：戴广豪 王生荣 李文杰 李竞春 杨谟华 DAI Guang-hao;WANG Sheng-rong;LI Wen-jie;LI Jing-chun;YANG Mo-hua

作者机构：电子科技大学微电子与固体电子学院四川成都610054 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2006年第36卷第5期

页      码：608-610,614页

摘      要：对基于SiGe HBT基区本征载流子浓度和电子迁移率依赖于掺杂、基区Ge组分分布和速度饱和效应的基区渡越时间进行了研究。结果表明,相同Ge组分条件下,基区渡越时间bτ随WB由100 nm减薄到50 nm,降低了74.9%;相同WB,Ge组分为0.15比0.1 Ge组分的bτ减小了33.7%。该研究与其他文献的结果相吻合,可为SiGe HBT基区设计提供一定的理论指导。

主 题 词：SiGe HBT 基区渡越时间 速度饱和 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2006.05.018

馆 藏 号：203103979...