适合宽范围电容负载的三级运放(英文)

作     者：胡晶晶 Huijsing J H 任俊彦 Hu Jingjing;Huijsing J H;Ren Junyan

作者机构：上海复旦大学微电子学系专用集成电路与系统国家重点实验室上海201203 荷兰代尔夫特理工大学电子仪器实验室 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2007年第28卷第11期

页      码：1685-1689页

摘      要：结合精确度和稳定性的要求提出了一种适合宽范围电容负载的CMOS运放.在多径嵌套式密勒补偿结构中加入一个抑制电容得到适合各种电容负载的稳定性.为了证实稳定性的提高对该结构进行了理论分析并计算得出数学表达式.基于这种新的频率补偿结构,利用CMOS0.7μm工艺模型设计了样品芯片.测试结果表明:该运放可以驱动从100pF到100μF负载电容,直流增益为90dB,最小相位裕度为26°;该运放在100pF负载情况下单位增益带宽为1MHz,使用抑制电容仅为18pF.

主 题 词：放大器 频率补偿 相位裕度 电容负载 

学科分类：080902[080902] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2007.11.004

馆 藏 号：203104011...