射频电路ESD防护优化设计

作     者：彭雄 徐骅 刘韬 陈昆 乔哲 袁波 PENG Xiong;XU Hua;LIU Tao;CHEN Kun;QIAO Zhe;YUAN Bo

作者机构：中国电子科技集团重庆声光电有限公司重庆401332 重庆西南集成电路设计有限责任公司重庆401332 

基　　金：重庆市技术创新与应用发展专项项目(CSTC2020JSCX-GKSBX0012) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2021年第51卷第3期

页      码：363-367页

摘      要：在0.18μm SiGe BiCMOS工艺下,设计了三种射频端口的ESD防护电路。在不影响ESD防护能力的前提下,通过串联多级二极管,可以显著提高射频电路的线性度。通过在二极管通路中串联LC谐振网络和大电感,在显著降低射频端口ESD防护电路插入损耗的同时还提高了射频电路的线性度。仿真结果表明,两级串联二极管结构可以将输入1dB压缩点提高至18.9 dBm。在16GHz频点,串联LC谐振网络设计和串联大电感设计分别可以将插入损耗减小0.5dB和0.9dB。

主 题 词：射频电路 SiGe BiCMOS ESD防护 插入损耗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.200519

馆 藏 号：203104146...