先进MOSFET中1/f噪声研究进展

作     者：马婷 任芳 夏世琴 廖希异 张培健 MA Ting;REN Fang;XIA Shiqin;LIAO Xiyi;ZHANG Peijian

作者机构：中国电子科技集团公司第二十四研究所重庆400060 模拟集成电路国家重点实验室重庆400060 

基　　金：国防科技工业抗辐照应用技术创新中心创新基金资助项目(KFZC2020020702) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2021年第51卷第3期

页      码：390-398页

摘      要：全面综述了先进金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的1/f噪声研究进展。界面态、器件结构、材料缺陷、量子效应等诸多因素均会影响1/f噪声。随着工艺尺寸的持续缩小和高k介质材料的应用,以及热载流子效应、辐照损伤等因素的影响,MOSFET的1/f噪声起源问题一直是学术界具有较大分歧和争议的课题。只有澄清了1/f噪声的真正物理起源,才能有效通过工艺加以改善,支撑设计应用。

主 题 词：1/f噪声 MOSFET 高k介质 热载流子 辐照损伤 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.200584

馆 藏 号：203104150...