一种高精度片内电阻校准电路设计

作     者：韦雪明 熊晓惠 侯伶俐 WEI Xueming;XIONG Xiaohui;HOU Lingli

作者机构：广西无线宽带通信与信号处理重点实验室广西桂林541004 成都华微电子科技有限公司成都610041 

基　　金：广西无线宽带通信与信号处理重点实验室主任基金项目资助(GXKL06190110) 广西高校中青年教师基础能力提升项目(2018KY0197) 广西桂林电子科技大学研究生科研创新项目(2019YCXS017) 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2021年第51卷第3期

页      码：336-340,346页

摘      要：设计了一种适用于40Ω~100Ω内调节的高精度片内电阻校准电路,该电路可精确调整因工艺波动产生变化的片内电阻阻值。片内电阻校准电路采用模数混合控制方法,即以片外电阻为基准,采用高精度回滞比较器比较片内和片外电阻转换的电压值,采用自适应控制电路精确调整电阻阵列开关,使得片内电阻的阻值与片外基准电阻的阻值相等。电路基于40nm CMOS工艺进行设计,仿真结果表明,比较器的电压比较阈值最小为2mV,电路实现40Ω~100Ω内电阻阻值可调节,校准误差小于2%。

主 题 词：高精度比较器 片内电阻校准 自适应控制方法 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.13911/j.cnki.1004-3365.200369

馆 藏 号：203104168...