智能手机大气中子单粒子效应试验研究

作     者：林倩 黄奕铭 张战刚 李斌 王松林 梁天骄 吴朝晖 雷志锋 彭超 岳少忠 何玉娟 黄云 恩云飞 LIN Qian;HUANG Yiming;ZHANG Zhangang;LI Bin;WANG Songlin;LIANG Tianjiao;WU Zhaohui;LEI Zhifeng;PENG Chao;YUE Shaozhong;HE YuJuan;HUANG Yun;EN Yunfei

作者机构：工业和信息化部电子第五研究所广东广州511370 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室广东广州511370 华南理工大学广东广州510641 散裂中子源科学中心广东东莞523803 

基　　金：广东省省级科技计划项目(2017B090921001)资助 

出 版 物：《电子产品可靠性与环境试验》 (Electronic Product Reliability and Environmental Testing)

年 卷 期：2021年第39卷第S1期

页      码：46-51页

摘      要：基于中国散裂中子源BL09终端提供的宽能谱中子束流,开展智能手机大气中子单粒子效应试验研究。发现死机、内存清空和音频波形失真等故障现象,源于中子在7 nm FinFET工艺CPU、DRAM和Flash芯片中引起的单粒子效应。计算由高能中子和热中子产生的各种故障类型的FIT值,发现高能中子产生的错误率较热中子高5~9倍。观测到录音波形出现幅度整体下降、时间维度的前后移位和局部波形失真等异常现象。试验结果表明,大气中子单粒子效应对地面数以亿计的消费电子产品有显著的影响,必须在产品设计时进行加固处理。

主 题 词：智能手机 大气中子 热中子 软错误 单粒子效应 

学科分类：07[理学] 070104[070104] 0701[理学-数学类] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1672-5468.2021.S1.014

馆 藏 号：203104174...