底层相关的VLSI高层次设计策略

作     者：边计年 

作者机构：清华大学计算机科学与技术系北京100084 

基　　金：国家自然科学基金!(6 98730 2 6 ) 国家"九七三"重点基础研究发展规划!(G19980 30 411)资助 

出 版 物：《计算机辅助设计与图形学学报》 (Journal of Computer-Aided Design & Computer Graphics)

年 卷 期：2000年第12卷第11期

页      码：827-829页

摘      要：在 VL SI系统设计、行为设计和逻辑设计过程中 ,未考虑到的与半导体制造工艺有关的因素 (如延迟、功耗问题等 )严重影响设计结果的性能 ,以至使物理设计结果的性能远离原来的设计目标 .针对这个问题 ,文中提出与底层有关的 VL SI高层次设计策略 ,将影响性能的底层参数和信息引入高层次设计中 。

主 题 词：VLSI 时处驱动 CAD 高层次设计 工艺映射 

学科分类：080903[080903] 1305[艺术学-设计学类] 13[艺术学] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080203[080203] 081304[081304] 0802[工学-机械学] 0813[工学-化工与制药类] 080201[080201] 

核心收录：

D　O　I：10.3321/j.issn:1003-9775.2000.11.008

馆 藏 号：203104189...