基区不均匀重掺杂对Si/SiGe/SiHBT基区渡越时间的影响

作     者：张万荣 李志国 孙英华 程尧海 陈建新 沈光地 ZHANG Wan-rong;LI Zhi-guo;SUN Ying-hua;CHENG Yao-hai;CHEN Jian-xin;SHEN Guang-di

作者机构：北京工业大学电子工程系北京100022 

基　　金：北京市自然科学基金 北京市科技新星计划 电子元器件可靠性国家重点实验室资助课题 

出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)

年 卷 期：2000年第30卷第1期

页      码：5-7页

摘      要：由于发射结(EB结)价带存在着能量差ΔEv,电流增益β不再主要由发射区和基区杂质浓度比来决定,给HBT设计带来了更大的自由度。为减小基区电阻和防止低温载流子冻析,可增加基区浓度。但基区重掺杂导致禁带变窄,禁带变窄的非均匀性产生的阻滞电场使基区渡越时间增加,退化了频率特性。

主 题 词：异质结晶体管 掺杂 基区渡越时间 硅 锗化硅 HBT 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.3969/j.issn.1004-3365.2000.01.002

馆 藏 号：203104205...