SRAM型FPGA带刷的新分层三模冗余技术容错分析

作     者：张硕 伊小素 孙进辉 张倩 Zhang Shuo;Yi Xiaosu;Sun Jinhui;Zhang Qian

作者机构：北京航空航天大学光电技术研究所北京100191 武警学院训练部实验教学管理中心河北廊坊065000 

基　　金：国家自然科学基金(61007040) 

出 版 物：《实验技术与管理》 (Experimental Technology and Management)

年 卷 期：2012年第29卷第11期

页      码：44-49页

摘      要：SRAM型FPGA(field programmable gate array)因为其具有信息密度大、性能高、开发成本低、可重复编程等特性,受到航天电子方面设计者青睐,越来越多地被应用于需要高可靠性的复杂空间环境。然而,相比于传统的ASIC电路设计,由于FPGA对辐射的潜在敏感性,易引发单粒子翻转效应(single-event up-sets,SEUs),甚至可能造成系统失效。该文提出一种全新的三模冗余技术(triple modular redundancy,TMR)来削弱空间粒子对FPGA的影响,这项技术可以减轻FPGA中采用映射设计的配置位受到SEUs的影响。通过逐位翻转故障注入实验验证显示,相对于传统的TMR设计,采用该新技术防护的FPGA中易收到SEUs影响的配置位减少了87%。

主 题 词：FPGA 单粒子翻转 分层三模冗余 

学科分类：08[工学] 081201[081201] 0812[工学-测绘类] 

D　O　I：10.16791/j.cnki.sjg.2012.11.014

馆 藏 号：203104234...