单晶硅裂纹萌生的刻划深度研究

作     者：陈自彬 葛梦然 毕文波 张晨政 葛培琪 CHEN Zibin;GE Mengran;BI Wenbo;ZHANG Chenzheng;GE Peiqi

作者机构：山东大学机械工程学院济南250061 山东建筑大学机电工程学院济南250101 山东大学高效洁净机械制造教育部重点实验室济南250061 

基　　金：国家自然科学基金(51775317,52005301) 山东省重点研发计划(2019GGX104007) 

出 版 物：《金刚石与磨料磨具工程》 (Diamond & Abrasives Engineering)

年 卷 期：2021年第41卷第3期

页      码：55-59页

摘      要：单晶硅作为典型的脆性材料,实现其塑性域去除加工的关键是使切削深度小于裂纹萌生切削深度。采用断裂强度理论,建立单晶硅刻划加工时的径向裂纹、中位裂纹和横向裂纹萌生刻划深度计算方法,计算得到裂纹萌生的刻划深度和划痕深度。设计高速刻划单晶硅的玻氏压头试验装置,并进行单晶硅片刻划试验,实测其径向裂纹萌生的划痕深度,其划痕深度计算值与试验测量值一致性较好。

主 题 词：单晶硅 裂纹萌生 刻划深度 划痕深度 

学科分类：080503[080503] 08[工学] 0805[工学-能源动力学] 0802[工学-机械学] 080201[080201] 

D　O　I：10.13394/j.cnki.jgszz.2021.3.0008

馆 藏 号：203104270...