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高隔离度低交叉极化DRA单元设计

高隔离度低交叉极化DRA单元设计

作     者:司文 孔令兵 钟顺时 

作者机构:上海商学院信息与计算机学院上海201400 上海航天电子技术研究所上海201109 上海大学通信与信息工程学院上海200444 

出 版 物:《微波学报》 (Journal of Microwaves)

年 卷 期:2014年第30卷第1期

页      码:39-42页

摘      要:主要阐述了一种高隔离度低交叉极化双极化介质谐振器天线的设计方法,通过采用U形和H形混合缝隙馈电,该天线实测隔离度优于46.8dB,两个极化的实测带宽大于12.5%(V端口S11小于-10dB的实测阻抗带宽是5.36~6.08GHz,相对带宽约为12.8%;而H端口的为5.47~6.2GHz,相对带宽约为12.5%),交叉极化电平分别低于-21.4 dB和-18.1dB。

主 题 词:介质谐振器天线 双极化 隔离度 交叉极化 

学科分类:080904[080904] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

核心收录:

D O I:10.3969/j.issn.1005-6122.2014.01.009

馆 藏 号:203104360...

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