基于功能梯度磁电复合材料的新型自偏置磁传感器

作     者：陈蕾 CHEN Lei

作者机构：重庆文理学院机器视觉与智能信息系统重点实验室重庆永川402160 

基　　金：国家自然科学基金项目(61304255) 重庆市教育委员会科学技术研究项目(KJ131221) 

出 版 物：《重庆文理学院学报（社会科学版）》 (Journal of Chongqing University of Arts and Sciences（Social Sciences Edition))

年 卷 期：2016年第35卷第2期

页      码：68-71页

摘      要：文章采用超磁致伸缩材料Terfenol-D(Tb0.37Dy0.63Fe2)、金属玻璃Metglas 2605SA1和压电材料PZT(Pb(Zr,Ti)O3),设计了一种基于功能梯度磁电复合材料的新型自偏置磁传感器.利用Metglas和Terfenol-D之间的磁导率和矫顽力差异产生较强的磁化梯度,打破原有的平衡状态,导致内建磁场产生,进一步提高了零偏置磁场下磁致伸缩材料的压磁系数和磁电响应.实验结果表明:该传感器获得了较高的低频和高频零偏置磁电电压系数,分别达到9.14m V/Oe和572 m V/Oe,并且谐振磁电电压输出和激励交变磁场之间呈线性变化关系.该自偏置磁传感器避免了传统磁电传感器对偏置磁场的依赖,具有制作简单、成本低、体积小,无需偏置磁场以及灵敏度高等优点.

主 题 词：磁电效应 功能梯度磁电复合材料 自偏置磁传感器 磁致伸缩材料 

学科分类：080202[080202] 08[工学] 0802[工学-机械学] 

D　O　I：10.19493/j.cnki.issn1673-8004.2016.02.015

馆 藏 号：203104385...