新颖的衬底pn结隔离型硅射频集成电感(英文)

作     者：刘畅 陈学良 严金龙 LIU Chang;CHEN Xue-xiang;YAN Jin-long

作者机构：中国科学院上海冶金研究所微电子学分部上海200233 

出 版 物：《Journal of Semiconductors》 (半导体学报（英文版）)

年 卷 期：2001年第22卷第12期

页      码：1486-1489页

摘      要：提出了一种新的减小硅集成电感衬底损耗的方法 .这种方法是直接在硅衬底形成间隔的 pn结隔离以阻止螺旋电感诱导的涡流 .衬底 pn结间隔能用标准硅工艺实现而不需另外的工艺 .本文设计和制作了硅集成电路 ,测量了硅集成电感的 S参数并且从测量数据提取了电感的参数 .研究了衬底结隔离对硅集成电感的品质因素 Q的影响 .结果表明一定深度的衬底结隔离能够取得很好的效果 .在 3GHz,衬底 pn结隔离能使电感的品质因素 Q值提高4 0 % .

主 题 词：硅集成电感 品质因素 pn结隔离 衬底 

学科分类：080801[080801] 0808[工学-自动化类] 08[工学] 

核心收录：

D　O　I：10.3969/j.issn.1674-4926.2001.12.002

馆 藏 号：203104642...