基于0.18μm CMOS加固工艺的抗辐射单元库开发

作     者：姚进 左玲玲 周晓彬 刘谆 周昕杰 YAO Jin;ZUO Lingling;ZHOU Xiaobin;LIU Zhun;ZHOU Xinjie

作者机构：中科芯集成电路有限公司江苏无锡214072 

出 版 物：《电子与封装》 (Electronics & Packaging)

年 卷 期：2021年第21卷第8期

页      码：65-70页

摘      要：抗辐射单元库是快速完成抗辐射数字电路设计的基础。基于0.18μm CMOS加固工艺总剂量及单粒子效应加固策略,从单元库规格制定、逻辑与版图设计、单元库特征参数提取及布局布线文件抽取、单元库设计套件质量保证到最终硅验证,完成了抗辐射单元库的全流程开发。抗辐射单元库在速度、面积、功耗及抗辐射性能4个方面表现出良好的均衡性,具有广泛的应用前景。

主 题 词：标准单元库 抗辐射 单元库验证 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 

D　O　I：10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0817

馆 藏 号：203104649...