InP籽晶表面处理的装置设计与工艺优化

作     者：姜剑 孙聂枫 孙同年 王书杰 邵会民 刘惠生 Jiang Jian;Sun Niefeng;Sun Tongnian;Wang Shujie;Shao Huimin;Liu Huisheng

作者机构：中国电子科技集团公司第十三研究所石家庄050051 专用集成电路重点实验室石家庄050051 

基　　金：国家自然科学基金面上项目(51871202) 河北省省级科技计划资助项目(20311001D) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2021年第46卷第8期

页      码：658-662页

摘      要：为改善InP籽晶表面洁净度,保证InP材料生长时的电学参数并减小引晶阶段孪晶形成概率,设计了InP籽晶表面处理装置。该装置采用动态方式对籽晶表面进行处理,采用原子力显微镜扫描处理后籽晶的表面形貌,结果显示籽晶表面无杂质和沾污。通过在晶体引晶部位的不同位置取样进行霍尔测试。测试结果显示,用常规静态方式和动态方式处理的籽晶,其生长出晶体引晶部分的样品的平均迁移率分别约为4 100 cm^(2)/(V·s)和4 600 cm^(2)/(V·s),平均载流子浓度分别约为7×10^(15) cm^(-3)和4×1015 cm^(-3)。通过该装置及工艺处理的籽晶,表面被处理得彻底、无沾污,容易生长出电学参数优异的晶体。

主 题 词：InP 籽晶 表面处理 腐蚀 清洗 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.08.013

馆 藏 号：203104665...