Ar离子注入边缘终端准垂直GaN肖特基势垒二极管

作     者：赵媛媛 郑英奎 康玄武 孙跃 吴昊 魏珂 刘新宇 Zhao Yuanyuan;Zheng Yingkui;Kang Xuanwu;Sun Yue;Wu Hao;Wei Ke;Liu Xinyu

作者机构：中国科学院大学微电子学院北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029 

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61804172) 广东省重点领域研发计划资助项目(2019B010128001) 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2021年第46卷第8期

页      码：623-629,644页

摘      要：为了研究离子注入边缘终端对准垂直GaN肖特基势垒二极管性能的影响,对器件进行了二维模拟仿真,分析了终端区域尺寸对肖特基结边缘处峰值电场及正向特性的影响,得到了宽度5μm、厚度200 nm的最优终端区域尺寸。基于工艺仿真软件设计了Ar离子注入工艺参数,依次以30 keV、5.0×10^(13)cm^(-2),60 keV、1.5×10^(14)cm^(-2)和140 keV、4.5×10^(14)cm^(-2)的注入能量和注入剂量进行多次注入,形成了Ar离子终端结构。采用Ar离子注入终端的GaN二极管的反向击穿电压从73 V提高到146 V,同时注入前后器件正向特性变化不大。结果表明,采用优化尺寸参数的终端结构能够有效降低肖特基结边缘处的峰值电场强度,从而提高器件的反向击穿电压。

主 题 词：GaN 准垂直结构 肖特基势垒二极管 Ar离子注入 边缘终端 

学科分类：080903[080903] 0809[工学-计算机类] 08[工学] 080501[080501] 0805[工学-能源动力学] 080502[080502] 

D　O　I：10.13290/j.cnki.bdtjs.2021.08.007

馆 藏 号：203104707...