第三代宽禁带功率半导体及应用发展现状

作     者：蔡蔚 孙东阳 周铭浩 郭庆波 高晗璎 CAI Wei;SUN Dongyang;ZHOU Minghao;GUO Qingbo;GAO Hanying

作者机构：哈尔滨理工大学电气与电子工程学院哈尔滨150080 

基　　金：黑龙江省新能源电机系统及关键材料研究头雁团队项目 国家重点研发计划项目(2017YFB0102400) 黑龙江省博士后面上基金项目(LBH-Z19166) 

出 版 物：《科技导报》 (Science & Technology Review)

年 卷 期：2021年第39卷第14期

页      码：42-55页

摘      要：近年来,以碳化硅和氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体迅猛发展,已成为中国功率电子行业的研发和产业化应用的重点。抓住第三代宽禁带功率半导体的战略机遇期,实现半导体材料、器件、封装模块和系统开发的自主可控,对保障工业创新体系的可持续发展至关重要。在分析第三代宽禁带功率半导体重要战略意义的基础上,综述了其材料、器件研发和产业的发展现状,阐述了碳化硅及氮化镓器件在当前环境下的应用成果,剖析了第三代半导体行业存在的关键问题。建议在国家政策的进一步领导之下,发挥行业协会和产业联盟的桥梁和纽带作用,对衬底材料、外延材料、芯片与器件设计和制造工艺等产业链各环节进行整体支撑,引导各环节间实现资源共享、强强联合,上下游互相拉动和促进,形成一个布局合理、结构完整的产业链。

主 题 词：第三代宽禁带功率半导体 碳化硅 氮化镓 芯片与封装技术 半导体应用与市场 碳化硅控制器和逆变器 

学科分类：0202[经济学-财政学类] 02[经济学] 020205[020205] 

核心收录：

D　O　I：10.3981/j.issn.1000-7857.2021.14.004

馆 藏 号：203104717...