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SiO_(2)原位诱导/硅烷修饰全棉网孔水刺材料疏水改性研究

SiO_(2)原位诱导/硅烷修饰全棉网孔水刺材料疏水改性研究

作     者:李思婧 李娜娜 郭康杰 徐婧婧 朱雨琪 张寅江 LI Sijing;LI Nana;GUO Kangjie;XU Jingjing;ZHU Yuqi;ZHANG Yinjiang

作者机构:武汉纺织大学生物质纤维与生态染整湖北省重点实验室湖北武汉430200 绍兴文理学院国家碳纤维工程技术研究中心浙江分中心浙江绍兴312000 绍兴文理学院浙江省清洁染整技术研究重点实验室浙江绍兴312000 

基  金:国家自然科学青年基金项目(51903156) 国家级大学生创新创业训练计划项目(202010349010) 湖北省重点实验室开放基金项目(STRZ2020008) 2019年绍兴文理学院校级学生科研课题 

出 版 物:《毛纺科技》 (Wool Textile Journal)

年 卷 期:2021年第49卷第8期

页      码:1-5页

摘      要:为实现全棉网孔水刺材料更广泛应用于卫生护理领域,在全棉网孔水刺材料上进行SiO_(2)原位诱导生长形成多级微纳米结构,并与十六烷基三甲氧基硅烷协同构建材料疏水性能。利用正交试验设计与静态接触角参数确定最佳疏水整理工艺为:以0.4 mol/L正硅酸四乙酯,原位生长20 min,再用十六烷基三甲氧基硅烷乙醇水解液处理9 h,改性全棉网孔水刺材料接触角达到140.7°。后借助场发射扫描电镜、傅里叶变化红外光谱、热重分析仪等对最佳工艺处理材料各阶段进行表征与分析。经最佳工艺处理后,材料表面构建多级微纳米SiO_(2)结构与被低表面能硅烷所修饰,二者协同提升材料疏水性能,可为全棉水刺医用敷料接触层开发提供参考。

主 题 词:全棉网孔水刺材料 多级微纳米结构 十六烷基三甲氧基硅烷 正交试验设计 静态接触角 

学科分类:0821[工学-兵器类] 08[工学] 082101[082101] 

D O I:10.19333/j.mfkj.20201100405

馆 藏 号:203104724...

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